電子回路5【電験3種 理論】固定バイアス増幅回路のバイアス抵抗R_Bを静特性と負荷線から求める!令和6年度下期 A問題13 完全解説

電験3種 理論科目【電磁気(電子回路)】令和6年度下期 A問題13 負荷線からV_CC=5V、動作点V_CE=3VでI_B≈5μA→R_B=(V_CC-V_BE)/I_B≈0.9MΩ

今回は令和6年度下期 理論科目 A問題13を解説します。固定バイアス方式のエミッタ接地増幅回路について、静特性と直流負荷線から動作点のベース電流を読み取り、バイアス抵抗R_Bを求める問題です。

直流負荷線の横軸切片が電源電圧V_CCです。動作点V_CE=3Vが負荷線上のどのI_B曲線に乗るかを読み、固定バイアスの式V_CC=R_B・I_B+V_BEからR_Bを求めます。

出題のポイント

目次

令和6年度下期 理論科目 A問題13:問題文と選択肢

まずは、実際の試験問題を確認してみましょう。

電験3種 理論科目 電子回路 令和6年度下期 A問題13 問題文
令和6年度下期 理論科目 A問題13 問題文

電験3種 理論科目 【電子理論(電子回路)】 令和6年度下期 A問題13

 図1は固定バイアス回路を用いた、R_Bの値が未知のエミッタ接地トランジスタ増幅回路である。図2は、この増幅回路で用いているトランジスタのコレクタ-エミッタ間電圧VCEとコレクタ電流ICとの関係を予め調べ出した静特性である。図2には五つのベース電流IB[μA]のみに対する曲線があり、増幅回路の負荷抵抗RLの負荷線も書き加えてある。増幅回路の動作点を測定したところVCE=3.0Vであった。

増幅回路の動作点を測定したところV_CE=3.0Vであった。抵抗R_Bの値[MΩ]として、最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。ただし、ベース-エミッタ間電圧V_BE=0.7Vとし、C_1、C_2は結合コンデンサ、V_CCは直流電源電圧である。

(1)0.5 (2)0.9 (3)1.5 (4)3.0 (5)6.0 MΩ

図1 固定バイアス方式のエミッタ接地トランジスタ増幅回路(問題図)
図1 固定バイアス方式のエミッタ接地トランジスタ増幅回路(問題図)
図2 トランジスタの静特性(I_C-V_CE)と直流負荷線(問題図)
図2 トランジスタの静特性(I_C-V_CE)と直流負荷線(問題図)

ポイント解説:負荷線からV_CC=5V、V_CE=3VでI_B≈5μA→R_B=(V_CC-V_BE)/I_B

まず図2の直流負荷線を読む。横軸(VCE)との交点が電源電圧VCCで、負荷線はVCE=5Vで横軸と交わっているのでVCC=5V。動作点はVCE=3.0Vなので、負荷線上でVCE=3Vの点を見ると、コレクタ電流はおよそIC≒1.2mA。この点が乗っているベース電流の曲線を読むとIB≒5μA(4μAと6μAの曲線の間)。

固定バイアス回路では、ベース電流はRBを通してVCCから供給される。ベース回路のキルヒホッフの電圧則より VCC=RBIB+VBE。よってRB=(VCC-VBE)/IB=(5-0.7)/(5×10-6)=4.3/5×10-60.86MΩ。最も近いのは0.9MΩ。よって(2)。

問題の解説

STEP1 負荷線からV_CC

直流負荷線の横軸切片=V_CC。V_CE=5Vで交わるのでV_CC=5V。

STEP2 動作点のI_Bを読む

V_CE=3.0Vの負荷線上の点(I_C≒1.2mA)が乗る曲線はI_B≒5μA。

STEP3 R_Bを計算

固定バイアス:V_CC=R_B・I_B+V_BE→R_B=(5-0.7)/5μ=0.86MΩ≒0.9MΩ。よって(2)

答え:(2)

💡 覚え方
固定バイアス:R_B=(V_CC-V_BE)/I_B。V_CCは負荷線の横軸切片。動作点のI_Bは負荷線とI_B曲線の交点から読む。

⚠️ よくある間違い
V_CCは負荷線の横軸切片(V_CE軸との交点)。R_Bは(V_CC-V_BE)をI_Bで割る(V_BE=0.7Vを引く)。μA・MΩの単位に注意。

まとめ

V_CC負荷線の横軸切片=5V
動作点I_BV_CE=3Vで約5μA
R_B(5-0.7)/5μ≒0.86MΩ
答え0.9MΩ((2))

▼あわせて解きたい関連問題
・エミッタ接地トランジスタの静特性(電子回路3):【理論】令和7年度上期 A問題13

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