今回は平成30年度 理論科目 B問題16を解説します。エミッタホロワ(コレクタ接地)回路について、(a)エミッタ電流を1mAにする抵抗RE、(b)交流等価回路(図2)の入力インピーダンスを求める問題です。
ベース電圧は分圧R1・R2で決まり、VE=VB−VBE。エミッタホロワは入力インピーダンスが高いのが特徴で、hパラメータの等価回路で計算します。
平成30年度 理論科目 B問題16:問題文と選択肢
まずは、実際の試験問題を確認してみましょう。

出典:一般財団法人 電気技術者試験センター「平成30年度 第三種電気主任技術者試験」理論科目 B問題16
電験3種 理論科目 【電子理論(電子回路)】 平成30年度 B問題16
エミッタホロワ回路について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。(a) 図1の回路でVCC=10V、R1=18kΩ、R2=82kΩとする。動作点におけるエミッタ電流を1mAとしたい。抵抗RE[kΩ]を求める(ベース電流はR2を流れる直流電流より十分小さく無視でき、ベース-エミッタ間電圧は0.7V)。(b) 図2は交流等価回路で、hie=2.5kΩ、hfe=100、REは(a)の値。入力インピーダンスvi/ii[kΩ]を求める。
(a) VCC=10V、R1=18kΩ、R2=82kΩで動作点のエミッタ電流を1mAにするときの抵抗RE[kΩ](VBE=0.7V、ベース電流は無視)として、最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
(1)1.3 (2)3.0 (3)7.5 (4)13 (5)75 kΩ
(b) 図2の交流等価回路(hie=2.5kΩ、hfe=100、REは(a)の値)の入力インピーダンスvi/ii[kΩ]として、最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
(1)2.5 (2)15 (3)80 (4)300 (5)750 kΩ


解説(a):分圧電圧からエミッタ抵抗を求める

分圧によりV_B=8.2V、V_E=7.5Vとなるので、I_E=1mAからR_E=7.5kΩで(a)は(3)です。トランジスタ側の入力はh_ie+(1+h_fe)R_E=760kΩですが、入力端子にはR_1とR_2も交流的に接地へつながります。全体は14.76kΩ∥760kΩ≈15kΩで(b)は(2)です。
解説(b):エミッタ抵抗がベース側で大きく見える理由

ベース電流は無視してよいと明記
\(V_{BE}=0.7\ \mathrm{V}\)
\(I_E=1\ \mathrm{mA}\)
「ベース電流は \(R_2\) を流れる直流電流より十分小さく無視できる」という条件が効いています。これがあるから、単純な分圧の式が使えます。
解説(b):ベース側と分圧側の並列合成
\(R_E\) が101倍に見える
交流的には両方とも接地へ
小さいほうに引きずられる
760 kΩ と 14.8 kΩ の並列は、ほぼ 14.8 kΩ そのものです。せっかくエミッタホロワで入力インピーダンスを高くしても、バイアス抵抗が並列に入ると台無しになる——実務でも重要な事実です。
解説(b):3経路を並列合成して入力インピーダンスを求める

| (b)の選択肢 | 値 | 何を計算した値か |
| (1) | \(2.5\ \mathrm{k\Omega}\) | \(h_{ie}\) だけ(\(R_E\) を忘れた) |
| (2) | \(15\ \mathrm{k\Omega}\) | ◎ 正解 |
| (3) | \(80\ \mathrm{k\Omega}\) | \(h_{fe}\) を10倍間違えた等 |
| (4) | \(300\ \mathrm{k\Omega}\) | 桁の取り違え |
| (5) | \(750\ \mathrm{k\Omega}\) | ★\(R_1\parallel R_2\) を忘れて \(Z_b\) だけを答えた |
(5)が最頻誤答です。\(h_{fe}R_E=100\times7.5=750\)——公式を知っている人ほど落ちる罠になっています。図2にバイアス抵抗が描かれていることを見落とさないでください。
⚠️ よくある間違い
「エミッタホロワは入力インピーダンスが大きい」という知識だけで(5)を選ぶのが典型的な失敗です。大きいのは「ベースから右を見た値」であって、「入力端子から見た値」ではありません。どこから見た抵抗かを必ず確認してください。
深掘り①:なぜ \(R_E\) が \((1+h_{fe})\) 倍に見えるのか
エミッタホロワでは、ベースに \(i_b\) が流れると、エミッタには \((1+h_{fe})i_b\) が流れます。ベース電流の101倍がエミッタ抵抗を通るということです。
\(i_e=i_b+i_c\)
2つの電圧降下の和
\(R_E\) が101倍に増幅される
入力側から見ると「わずかな電流しか取られないのに、大きな電圧がかかっている」——だから抵抗が大きく見えます。これがインピーダンス変換の正体です。
逆に出力側から見ると、\(h_{ie}\) が \(1/(1+h_{fe})\) 倍に小さく見えます——出力インピーダンスが小さい理由です。入力は大きく、出力は小さく——バッファに理想的な性質です。
深掘り②:エミッタホロワの性格を1枚で
| 項目 | エミッタホロワ(コレクタ接地) | エミッタ接地 |
| 電圧増幅度 | 約1倍 | 大きい |
| 電流増幅度 | 大きい | 大きい |
| 位相 | 同相 | 逆相(180°) |
| 入力インピーダンス | 大きい | 中 |
| 出力インピーダンス | 小さい | 中 |
| 用途 | バッファ・出力段 | 電圧増幅段 |
エミッタホロワは帰還率100 %の負帰還回路でもあります。出力電圧がそのまま入力に戻るので、ひずみが小さく、周波数特性も広い——「電圧利得だけを差し出して、他をすべて手に入れた回路」です。
オペアンプのボルテージホロワとまったく同じ役割です。令和2年度A問題13の(5)で問われているのがそれ——素子は違っても考え方は共通です。
深掘り③:バイアス抵抗を大きくできない理由
入力インピーダンスを上げたいなら \(R_1\)・\(R_2\) を大きくすればよい——理屈ではそうですが、実際には限界があります。
分圧抵抗を大きくすると、そこを流れる電流が小さくなり、ベース電流を「無視できる」条件が崩れます。すると動作点が \(h_{FE}\) のばらつきや温度で動いてしまいます。
目安として、分圧抵抗に流す電流はベース電流の10倍以上とされます。本問なら \(I_B=I_E/(1+h_{fe})\fallingdotseq10\ \mathrm{\mu A}\)、分圧電流は \(10/100\mathrm{k}=100\ \mathrm{\mu A}\)——ちょうど10倍で、設計として理にかなっています。
💡 覚え方
「ベースから右を見た抵抗」と「入力端子から見た抵抗」は別物。バイアス抵抗は必ず並列に入るので、入力インピーダンスは \(R_1\parallel R_2\) を超えられません。
⏱️ 本番での進め方
❶ (a)は分圧 → \(V_{BE}\) を引く → オームの法則の3行。
❷ (b)はまず \(Z_b=h_{ie}+(1+h_{fe})R_E\) を出す。
❸ 図2に \(R_1R_2/(R_1+R_2)\) が描かれているか確認——描かれていれば並列にする。
❹ 並列合成は小さいほうに寄る:760 と 15 なら答えはほぼ 15。
★選択肢に「並列を忘れた値」が必ず置いてあると思って臨む。
出題履歴:エミッタホロワはB問題の常連
エミッタホロワは、バイアス設計(直流)と等価回路(交流)の両方を一度に問えるため、B問題の題材として好まれます。平成20年度A問題13でも接地方式の比較として登場しています。
この分野はほぼ毎年どこかで出題されます。手を動かして解ける状態にしておけば、本番で確実に得点できます。
★同型問題:【理論】令和7年度上期 B問題18でそのまま再出題された
この問題は 【理論】令和7年度上期 B問題18 として、数値と \(h_{fe}\) だけを変えて再出題されています。回路の形も、問われ方も、仕掛けられた罠もまったく同じです。
| 項目 | 平成30年度 B問題16 | 令和7年度上期 B問題18 |
| \(V_{CC}\) | 10 V | 9 V |
| \(R_1,R_2\) | 18 kΩ、82 kΩ | 3 kΩ、6 kΩ |
| \(I_E\) | 1 mA | 2 mA |
| \(h_{fe}\) | 100 | 300 |
| (a) \(R_E\) | 7.5 kΩ | 2.7 kΩ |
| (b) 入力Z | 15 kΩ | 2.0 kΩ |
どちらも(b)の選択肢に「\(R_1\parallel R_2\) を忘れた値(750 kΩ)」が用意されています。さらに令和7年度版では、平成30年度版の正解「15 kΩ」が選択肢(2)に置かれている——過去問の答えを数字で覚えていると引っかかる作りです。
手順で覚えてください:❶分圧 → ❷\(V_{BE}\) を引く → ❸\(R_E=V_E/I_E\) → ❹\(Z_b=h_{ie}+(1+h_{fe})R_E\) → ❺\(R_1\parallel R_2\) と並列。この5ステップはどちらの年度でも同じです。
▼あわせて解きたい同型問題:【理論】令和7年度上期 B問題18
まとめ
| VB | 10×82/100=8.2V |
| VE | 8.2−0.7=7.5V |
| (a)RE | 7.5/1mA=7.5kΩ→(3) |
| ベース側Z | hie+(1+hfe)RE=760kΩ |
| (b)入力Z | 14.76∥760≒15kΩ→(2) |
▼あわせて解きたい関連問題
・NAND ICパルス回路(電子回路20):【理論】令和元年度 B問題17

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