情報43【電験3種 機械】記憶装置ROM・RAMの分類(マスクROM・EEPROM・SRAM・DRAM)!平成20年度 A問題14 完全解説

電験3種 機械科目【情報】平成20年度 A問題14 記憶装置の分類(マスクROM・EEPROM・スタティックRAM・ダイナミックRAM)

今回は平成20年度 機械科目 A問題14を解説します。読み取り専用のROMと読み書き可能なRAMについて、製造過程で書き込むROM、電気的に書き込み・消去できるROM、フリップフロップでデータを保持するRAM、リフレッシュが必要なRAMという4種類の記憶装置の名称を問う穴埋め問題です。★情報44(b)(平成27年度B問題18)と非常に近いテーマ(ROM/RAM/EPROM/EEPROM/DRAM/SRAM)を扱う姉妹的な問題です。

製造時にデータを書き込み消去も再書き込みもできないのがマスクROM、電気的に消去・再書き込みができるのがEEPROM、フリップフロップで保持しリフレッシュ不要なのがスタティックRAM(SRAM)、コンデンサの電荷でデータを保持しリフレッシュが必要なのがダイナミックRAM(DRAM)という対応を順に当てはめます。

目次

平成20年度 機械科目 A問題14:問題文と選択肢

まずは、実際の試験問題を確認してみましょう。

電験3種 機械科目 情報 平成20年度 A問題14 問題文
平成20年度 機械科目 A問題14 問題文

電験3種 機械科目 【情報】 平成20年度 A問題14

 記憶装置には,読み取り専用として作られたROM※1と読み書きができるRAM※2がある。ROMには,製造過程においてデータを書き込んでしまう(ア)ROM,電気的にデータの書き込みと消去ができる(イ)ROMなどがある。また,RAMには,電源を切らない限りフリップフロップ回路などでデータを保持する(ウ)RAMと,データを保持するために一定時間内にデータを再書き込みする必要のある(エ)RAMがある。

 上記の記述中の空白箇所(ア),(イ),(ウ)及び(エ)に当てはまる語句として,正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。(注)※1の「ROM」は,「Read Only Memory」の略,※2の「RAM」は,「Random Access Memory」の略,※3の「EEP」は,「Electrically Erasable and Programmable」の略及び※4の「EP」は,「Erasable Programmable」の略である。

(ア)(イ)(ウ)(エ)
(1)マスクEEP※3ダイナミックスタティック
(2)マスクEEPスタティックダイナミック
(3)マスクEP※4ダイナミックスタティック
(4)プログラマブルEPスタティックダイナミック
(5)プログラマブルEEPダイナミックスタティック

出題のポイント:ROMとRAMを枝分かれで整理

半導体メモリをROMとRAMに分け、マスクROM、EEPROM、SRAM、DRAMへ分類した図
SRAMはリフレッシュ不要、DRAMはリフレッシュ必要です。

ROMは不揮発性で、製造時に内容を固定するマスクROMと、電気的に消去・再書込みできるEEPROMがあります。RAMは揮発性で、フリップフロップを使うSRAMと、コンデンサの電荷を使うDRAMに分かれます。

ポイント解説:4種類を特徴で見分ける

マスクROM、EEPROM、SRAM、DRAMの分類と特徴とリフレッシュ要否の比較表
製造時書込みはマスクROM、電気的消去はEEPROM、フリップフロップはSRAM、コンデンサはDRAMです。

ROMは製造過程でデータを書き込むマスクROMと、利用者が書き込める各種PROM(EPROM、EEPROMなど)に分類されます。RAMはフリップフロップでデータを保持しリフレッシュ不要なSRAMと、コンデンサの電荷で保持しリフレッシュが必要なDRAMに分類されます。

★情報44(b)(平成27年度B問題18)と非常に近いテーマ(ROM/RAM/EPROM/EEPROM/DRAM/SRAM)を扱う姉妹的な問題です。

問題の解説:文章の手掛かりを名称へ対応

空欄アからエの文章をマスクROM、EEPROM、SRAM、DRAMへ対応させる図
マスク、EEP、スタティック、ダイナミックの組合せは選択肢(2)です。

STEP1 (ア)製造過程で書き込むROMを特定する

製造過程においてデータを書き込んでしまい,消去や再書き込みができないROMはマスクROM(ア)です。

STEP2 (イ)電気的に書き込み・消去できるROMを特定する

電気的にデータの書き込みと消去ができるROMはEEPROM(イ)(Electrically Erasable and Programmable ROM)です。

STEP3 (ウ)フリップフロップで保持するRAMを特定する

電源を切らない限りフリップフロップ回路でデータを保持し,リフレッシュが不要なRAMはスタティックRAM(ウ)(SRAM)です。

STEP4 (エ)リフレッシュが必要なRAMを特定する

コンデンサに電荷を蓄えることで情報を記憶し,一定時間内に再書き込み(リフレッシュ)が必要なRAMはダイナミックRAM(エ)(DRAM)です。

以上より(ア)マスク(イ)EEP(ウ)スタティック(エ)ダイナミックの組合せである(2)が正解です。

答え:(2)

💡 覚え方
マスクROM=製造時に書込み・変更不可。EEPROM=電気的に消去・再書込み可能。SRAM=フリップフロップ保持・リフレッシュ不要。DRAM=コンデンサ保持・リフレッシュ必要。

⚠️ よくある間違い
スタティックRAMとダイナミックRAMのリフレッシュの要否を逆にしない(リフレッシュが必要なのはDRAM)。プログラマブルROMとマスクROMの違い(利用者が書けるかどうか)を混同しない。

まとめ

(ア)マスクROM
(イ)EEPROM
(ウ)スタティックRAM(SRAM)
(エ)ダイナミックRAM(DRAM)
答え(2)

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