今回は平成20年度 機械科目 A問題14を解説します。読み取り専用のROMと読み書き可能なRAMについて、製造過程で書き込むROM、電気的に書き込み・消去できるROM、フリップフロップでデータを保持するRAM、リフレッシュが必要なRAMという4種類の記憶装置の名称を問う穴埋め問題です。★情報44(b)（平成27年度B問題18）と非常に近いテーマ（ROM/RAM/EPROM/EEPROM/DRAM/SRAM）を扱う姉妹的な問題です。
製造時にデータを書き込み消去も再書き込みもできないのがマスクROM、電気的に消去・再書き込みができるのがEEPROM、フリップフロップで保持しリフレッシュ不要なのがスタティックRAM（SRAM）、コンデンサの電荷でデータを保持しリフレッシュが必要なのがダイナミックRAM（DRAM）という対応を順に当てはめます。
平成20年度 機械科目 A問題14：問題文と選択肢
まずは、実際の試験問題を確認してみましょう。
出典：一般財団法人 電気技術者試験センター「平成20年度 第三種電気主任技術者試験」機械科目 A問題14
電験3種 機械科目 【情報】 平成20年度 A問題14
記憶装置には，読み取り専用として作られたROM※1と読み書きができるRAM※2がある。ROMには，製造過程においてデータを書き込んでしまう（ア）ROM，電気的にデータの書き込みと消去ができる（イ）ROMなどがある。また，RAMには，電源を切らない限りフリップフロップ回路などでデータを保持する（ウ）RAMと，データを保持するために一定時間内にデータを再書き込みする必要のある（エ）RAMがある。
上記の記述中の空白箇所(ア)，(イ)，(ウ)及び(エ)に当てはまる語句として，正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。（注）※1の「ROM」は，「Read Only Memory」の略，※2の「RAM」は，「Random Access Memory」の略，※3の「EEP」は，「Electrically Erasable and Programmable」の略及び※4の「EP」は，「Erasable Programmable」の略である。
（ア） （イ） （ウ） （エ） (1) マスク EEP※3 ダイナミック スタティック (2) マスク EEP スタティック ダイナミック (3) マスク EP※4 ダイナミック スタティック (4) プログラマブル EP スタティック ダイナミック (5) プログラマブル EEP ダイナミック スタティック
出題のポイント：4つの空欄を1つずつ確定する
本問は語句の穴埋め——1つずつ確定すれば、選択肢が次々に消えていきます。
| 空欄 | 問題文の手がかり | 答え |
| (ア) | 製造過程で書き込んでしまう | ★マスク |
| (イ) | 電気的に書き込みと消去ができる | ★EEP |
| (ウ) | フリップフロップで保持 | ★スタティック |
| (エ) | 一定時間内に再書き込みが必要 | ★ダイナミック |
(ア)の「マスク」は、半導体を作るときの型（マスク）のこと——回路の配線そのものでデータを表すので、後から変えようがありません。その代わり大量生産すれば非常に安価です。
(イ)は EP か EEP かが分かれ目——先頭のE がもう1つ付くと「Electrically（電気的に）」。EPROM は紫外線で消すので、「電気的に消去」と書かれた本問はEEP が正解です。
(ウ)(エ)は「フリップフロップ」と「再書き込み」で判別——フリップフロップは電源がある限り状態を保つのでスタティック（静的）。放っておくと消えるほうがダイナミック（動的）です。
ROM の4世代を並べて見る
ROM は「書き込みと消去がどこまでできるか」で発展してきました——順に並べると流れが見えます。
| 名称 | 書き込み | 消去 | 特徴 |
| マスクROM | ★製造時のみ | 不可 | 大量生産で最も安価 |
| PROM | 1回だけ | 不可 | ヒューズを焼き切る |
| EPROM | 可 | ★紫外線（全消去） | 窓付きパッケージ |
| EEPROM | 可 | ★電気的（部分消去も可） | 装置に付けたまま書換え |
| フラッシュメモリ | 可 | 電気的（ブロック単位） | 大容量・USBメモリやSSD |
EPROM は窓から紫外線を当てて消すので、装置から外す必要があります。EEPROM なら基板に載せたまま書き換えられる——これが大きな進歩でした。
フラッシュメモリはEEPROM の一種——まとまった単位で一気に消すことで、構造を簡単にして大容量化したものです。「フラッシュ（閃光）」の名は、一括消去の速さからきています。
SRAM とDRAM のちがい
(ウ)(エ)で問われた2種類のRAM——記憶のしかたが根本的に違います。
| SRAM（スタティック） | DRAM（ダイナミック） | |
| 記憶素子 | ★フリップフロップ | ★コンデンサ |
| トランジスタ数 | 1ビットに6個 | 1ビットに1個＋コンデンサ |
| リフレッシュ | 不要 | ★必要 |
| 速さ | 速い | やや遅い |
| 集積度・価格 | 低い・高価 | 高い・安価 |
| 主な用途 | キャッシュメモリ | 主記憶（メインメモリ） |
DRAM はコンデンサに電荷を貯めて1 と0 を表します——ところが電荷は漏れて減っていく。だから一定時間ごとに読み出して書き直す必要があるのです。これがリフレッシュです。
部品が少ないぶん、同じ面積にたくさん詰め込める——だから安く大容量。パソコンのメモリはすべてDRAM です。
SRAM はフリップフロップなので、電源がある限り消えません——速いがトランジスタを6個も使うので高価。だからCPU内部の小容量なキャッシュに限って使われます。
どちらも電源を切れば消える揮発性メモリ——ROM が不揮発性なのと対照的です。「電源を切っても残るか」で大きく2つに分かれると押さえてください。
⚠️ よくある間違い
(ウ)と(エ)を逆にしてしまうのが最も多い誤り——選択肢5つのうち3つがこの入れ替えです。
「スタティック＝静的＝そのまま動かない」——だからリフレッシュ不要。「ダイナミック＝動的＝放っておくと変わってしまう」——だからリフレッシュが要る。
この言葉の意味から結び付けると間違えません。
⏱️ 本番での進め方
①(ア)「製造過程で書き込む」＝マスクROM。
②(イ)「電気的に消去」＝EEPROM。紫外線消去ならEPROM。
③(ウ)フリップフロップ＝スタティック（SRAM）。
④(エ)再書き込みが必要＝ダイナミック（DRAM）。
💡 覚え方
「スタティックは静止、ダイナミックは動く」——動く（消えていく）から書き直しが要る。E が2つのEEPROM は電気的（Electrically）に消せる——E の数で覚えられます。
ほぼ同じ知識が平成27年度 B問題18でも問われています（情報：コンピュータの5大装置とICメモリ）。セットで解いておくと確実です。
記憶装置を階層で捉える
コンピュータの記憶装置は、速さと容量のつり合いで階層をなしています——本問のSRAM とDRAM が、その中でどこに位置するかを見ておきましょう。
| 階層 | 使う素子 | 容量 | 速さ |
| レジスタ | フリップフロップ | 数十バイト | ★最速 |
| キャッシュ | SRAM | 数MB | 速い |
| 主記憶 | DRAM | 数GB | 中くらい |
| 補助記憶 | フラッシュメモリ、磁気ディスク | 数百GB〜 | ★遅い |
上へ行くほど速く小さく高価、下へ行くほど遅く大きく安価——1種類ですべてをまかなえないので階層にしているのです。
よく使うデータを上の階層に置いておくことで、全体としては「速くて大きい」ように見せかけている——これがキャッシュの考え方です。
本問の(ウ)スタティックRAM はキャッシュ、(エ)ダイナミックRAM は主記憶——役割の違いが、そのまま素子の違いになっています。「なぜ2種類あるのか」が分かれば、名前も混同しません。
不揮発性という軸
もう1つの分け方が「電源を切っても残るか」——ROM とフラッシュメモリは残り、RAM は消えます。
だからプログラムの起動用コードはROM に、作業中のデータはRAM に——電源を入れた瞬間に動き出せるのはROM のおかげです。
まとめ
| (ア) | マスクROM |
| (イ) | EEPROM |
| (ウ) | スタティックRAM(SRAM) |
| (エ) | ダイナミックRAM(DRAM) |
| 答え | (2) |
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