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今回は令和7年度下期 機械科目 A問題10を解説します。パワー半導体デバイスの定常的な動作について、誤っている記述を1つ選ぶ問題です。 この手の問題は「オンにできるか／オフにできるか／逆向きに流せるか」の3点でデバイスを整理しておけば確実に得点で...

今回は平成22年度 理論科目 A問題11を解説します。ホール素子（ホール効果）の原理図（p形の図1・n形の図2）をもとに、電極に分布する電荷の正負・p形とn形での電界の向き・ホール電圧の式を問う穴埋め問題です。 電流と磁界が加わると、キャリヤはローレ...

今回は平成21年度 理論科目 A問題11を解説します。真性半導体・不純物半導体・n形とp形・電気伝導度と温度に関する5つの記述のうち、誤っているものを選ぶ問題です。 不純物の族（Ⅲ族＝3価／Ⅴ族＝5価）と、できる半導体の型（p形／n形）の対応が最大のポイ...

今回は平成20年度 理論科目 A問題11を解説します。太陽電池に光を照射したときに生成されるキャリヤの移動と、電極間に生じる現象を問う穴埋め問題です。 太陽電池はpn接合を利用した素子です。光で電子-正孔対が生成され、接合部の電界で正孔はp形側、電...

今回は平成19年度 理論科目 A問題11を解説します。可変容量ダイオード・定電圧ダイオード・レーザダイオードについて、pn接合に加える電圧が順方向か逆方向かを判別する穴埋め問題です。 各ダイオードの動作原理が判別のカギです。可変容量ダイオードは逆...

今回は平成18年度 理論科目 A問題11を解説します。シリコン(Si)の真性半導体にホウ素(B)やインジウム(In)を加えたときの元素の価数・半導体の形・加えた不純物の呼び名を問う穴埋め問題です。 Siは4価。これに価電子が1個少ない3価のB・Inを加えると、正孔...

今回は平成23年度 理論科目 A問題11を解説します。MOS電界効果トランジスタ（MOSFET）の構造図をもとに、ゲートに正の電圧を加えたときに除去されるキャリヤ・チャネルを作るキャリヤ・ドレーン電流の変化・チャネルの種類を問う穴埋め問題です。 p形基板...

今回は平成24年度 理論科目 A問題13を解説します。抵抗R₁とダイオードからなるクリッパ回路に負荷R₂（＝2R₁）を接続した回路で、入力電圧VとR₁に流れる電流Iの関係（V-I特性）を表すグラフを選ぶ問題です。 ダイオードが導通するか遮断するかで回路の合成...

今回は令和7年度下期 理論科目 A問題11を解説します。可変容量ダイオード・定電圧ダイオード・レーザダイオードについて、pn接合に加える電圧が順方向か逆方向かを判別する穴埋め問題です。 ポイントは各ダイオードの動作原理です。可変容量ダイオードは逆...

今回は令和7年度上期 理論科目 A問題11を解説します。ホール素子（図1のp形半導体、図2のn形半導体）に電流Iと磁束密度Bを加えたときの、電極①②に分布する電荷・p形とn形での電界の向き・ホール電圧と電流の関係を問う穴埋め問題です。 ホール効果は、キャ...