過去問解説– tag –

今回は令和6年度上期 機械科目 A問題10を解説します。抵抗とリアクトルを直列にしたRL負荷の単相半波ダイオード整流回路で、環流ダイオードの有無による波形の違いを問う空欄補充問題です。 スイッチSを開いた状態（環流ダイオードなし）では、リアクトルL...

今回は令和2年度 機械科目 A問題10を解説します。パワエレ26と同じテーマで、近年主に用いられるIGBTとパワーMOSFETを比較した記述の誤りを見つける問題です（設問文・選択肢はパワエレ26とは別内容）。 パワーMOSFETは電圧駆動形であり、多数キャリアを用...

今回は令和5年度上期 機械科目 A問題10を解説します。近年主に用いられるIGBTとパワーMOSFETの通常動作における特性比較に関する記述の誤りを見つける問題です。 パワーMOSFETはドレーン・ソース間にボディダイオードがあるため逆電圧印加でボディダイオー...

今回は平成29年度 機械科目 A問題10を解説します。★パワエレ24（令和5年度下期A問題10）と全く同じ問題文・選択肢の再出題で、パワー半導体デバイスの定常動作に関する記述の誤りを見つける問題です。 サイリスタは、オンのゲート電流が与えられて順方向電...

今回は令和5年度下期 機械科目 A問題10を解説します。ダイオード・サイリスタ・パワーMOSFET・IGBTなど、各種パワー半導体デバイスの定常動作に関する記述の誤りを見つける問題です。 サイリスタは、オンのゲート電流が与えられて順方向の電流が流れている...

今回は平成23年度 機械科目 A問題10を解説します。整流ダイオード・サイリスタ・パワートランジスタ・パワーMOSFET・IGBTなど、各種パワー半導体バルブデバイスに関する記述の誤りを見つける問題です。 パワートランジスタは、遮断領域と飽和領域とを切り...

今回は平成20年度 機械科目 A問題9を解説します。電力用半導体素子（半導体バルブデバイス）であるIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の構造・特徴に関する記述の正誤を判定する問題です。 IGBTはMOSFETとバイポーラトランジスタを1チップの素子上...

今回は平成26年度 機械科目 B問題16を解説します。★パワエレ20（令和7年度上期B問題16）と全く同じ回路・数値の再出題で、選択肢の並び順だけが異なります。可逆チョッパ（IGBT Q1・Q2）で他励直流機を駆動する問題で、電動機として動かすときのオン時間(a...

今回は令和7年度上期 機械科目 B問題16を解説します。可逆チョッパ（IGBT Q1・Q2）で他励直流機を駆動する問題で、電動機として動かすときのオン時間(a)と、回生制動時の電機子電圧(b)を求めます。 Q1をオンオフ制御する降圧チョッパ動作では V1＝E×(TON/T...

今回は平成30年度 機械科目 B問題16を解説します。パワエレ17・18（令和6年度下期・令和5年度下期）と同じ数値・同じ図の3度目の再出題ですが、★今回は選択肢の並び順が異なる点に注意が必要です。 時刻t1前後は電流iRが増加中（Lの充電＝経路(A)）、時刻t...